DMP2160UW
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
D = 0.02
R ? JA = 338°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
D = 0.005
t 2
T J - T A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
100
1,000
10,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 7 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
H
SOT323
K
Dim
A
Min
0.25
Max Typ
0.40 0.30
J
A
D
M
L
a
B
C
D
F
1.15 1.35 1.30
2.00 2.20 2.10
0.650 BSC
0.375 0.475 0.425
G
H
J
1.20
1.80
0.00
1.40 1.30
2.20 2.15
0.10 0.05
C
B
K
L
M
0.90
0.25
0.10
1.00 0.95
0.40 0.30
0.18 0.11
a
8°C
All Dimensions in mm
G
Suggested Pad Layout
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
DMP2160UW
Document number: DS31521 Rev. 5 - 2
X
E
C
4 of 5
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.8
0.7
0.9
1.9
1.0
February 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
DMP21D0UFB4-7B MOSF P CH 20V 770MA DFN1006H4-3
DMP21D0UFD-7 MOS P CH 20V 1.14A X1-DFN1212-3
DMP21D0UT-7 MOSFET P CH 20V 590A SOT523
DMP21D5UFB4-7B MOSF P CH 20V 700MA X2-DFN1006-3
DMP2215L-7 MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
DMP2225L-7 MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
DMP2240UDM-7 MOSFET P-CH DUAL 20V 2A SOT-26
DMP2240UW-7 MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3
相关代理商/技术参数
DMP21D0UFB 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP21D0UFB4 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP21D0UFB4-7B 功能描述:MOSFET 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP21D0UFB-7 功能描述:MOSFET MOSFET P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP21D0UFB-7B 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP21D0UFD 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP21D0UFD-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP21D0UT-7 功能描述:MOSFET 20V P-Ch Enh FET PD 0.24W MIN RDSon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube